Los últimos suspiros de la Ley de Moore

Para mayo-junio de 2020, teníamos previsto el comienzo de una celebración al estilo PQC que, dadas las circunstancias que estábamos viviendo, hubo de ser pospuesta, al menos, hasta la fecha oficial. Una vez alcanzada ésta, las condiciones siguen sin ser las más adecuadas como para arrancar con el plan previsto, por lo que éste será nuevamente retrasado hasta que se normalice la situación.

Confiamos en que ello se produzca en el plazo más corto posible.

<<Como añadido a este 25 aniversario hemos diseñado un logotipo, reflejo de la larga trayectoria de PQC, que nos acompañará de manera temporal durante este año>>

Entre tanto y hasta que podamos realizar una convocatoria en modo presencial con las suficientes garantías para la seguridad de todos, queremos hacer partícipes de nuestra satisfacción a todos nuestros clientes y colaboradores sin cuyo constante apoyo hubiese sido imposible alcanzar un objetivo temporal que, esperamos, siga ampliándose con éxito

Además, llevamos ya varios años en los que se está anunciando desde distintos frentes el final de esta carrera por conseguir mayores niveles de densidad lógica. Y es que el grado de miniaturización, al final, ha de topar con los límites estructurales de la propia materia, difícilmente traspasables.

A día de hoy, donde cada mejora en este campo en más complicada y tremendamente costosa, son tres las firmas que comparten el máximo nivel de avance, fabricando circuitos integrados en un equivalente a lo que se conoce como “nodo de 7 nanómetros” (aunque esta definición carece, en realidad, de un claro sentido físico, se sigue usando como referencia).

Los tres, Intel, Samsung y TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.), trabajan en ese límite de miniaturización (7 nm) que es, de momento, el máximo nivel alcanzado, aunque tanto Samsung como TSMC han anunciado, recientemente, su próximo avance al siguiente “nodo”, el de los 5 nm, pero aportando la primera un dato añadido. El hecho de que el tipo de transistor que la industria ha estado utilizando durante la última década, ya ha cumplido su ciclo y que el nuevo “siguiente nodo”, el de los 3 nm, se basará en un diseño completamente nuevo.

Y el nuevo concepto, independientemente de cómo se le bautice (parece que el término a utilizar será el de “nanosheet”), no será solamente el siguiente modelo de transistor para los chips, sino probablemente el último.

Referencia Ye, Ernst y Khade

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^{Logotipo del 25 aniversario diseñado en colaboración con Calderon Estudios S.L}