Decíamos hace muy poco tiempo que la Ley de Moore está permanentemente en el candelero y que, cada año, se anuncian, tanto su final (Los últimos suspiros de la Ley de Moore) como prórrogas a su vigencia (La Ley de Moore sobrevive a su autor). Pues bien, hace sólo unos días, hemos tenido la oportunidad de ver una publicación firmada por Jan Van Schoot, director de Ingeniería de Sistemas de AMSL, donde explica cuál va a ser el siguiente paso en la miniaturización de los componentes de forma que la progresión de “La Ley” no se detenga, al menos durante un amplio espacio temporal.

Bajo el título de “La Máquina de la Ley de Moore”, el Sr. Schoot describe cómo el “truco” para conseguir transistores más pequeños radica en alcanzar un nivel de litografía extremadamente ultravioleta (EUV) con una elevada “apertura numérica” (NA).

Resulta que la llamada “dimensión crítica” (CD) que es la resolución del sistema fotolitográfico, es directamente proporcional a la longitud de onda de la luz utilizada y a una constante (k₁) que tiene que ver con las herramientas y con el control del proceso, e inversamente proporcional a la citada NA (el rango de ángulos mediante los cuales el sistema puede emitir la luz).

Pues bien, en lo que se lleva trabajando desde hace bastantes años y con un esfuerzo ímprobo es en la mejora de esos tres parámetros, tan íntimamente interrelacionados (fundamentalmente la NA y la k₁, ya que los fabricantes de chips no suelen actuar sobre la longitud de onda mientras haya campo de mejora en las otras dos)

El primer sistema EUV de alta apertura numérica está previsto que se instale en un nuevo laboratorio que ASML está abriendo, conjuntamente con la firma belga IMEC, y que estará disponible a principios del próximo año. La idea actual es que la EUV con alta NA podrá iniciar su etapa comercial en 2025 por lo que, si su resultado es exitoso, la progresión de la Ley de Moore podrá ser una realidad por otro buen periodo de tiempo.